ハイμ３極間接続では今一つだった電流特性を改善させるには、G2に僅かなバイアスを与えてハイμ５極管接続とすれば良いのではないでしょうか。

そこで試みとしてG2に１３Vという低い電圧を与えて特性を測ることにしました。まずは６P3Sで様子をみてみます。動作としては3,5極管接続と言ったところです。


　　　　　　　　


するとｇｍの上昇と共にカーブ全体が左によって電圧利用効率が良くなりました。おかげでプレート供給電圧を９００Vにしても２００倍のゲインを保ったまま、最適負荷を２００ｋΩまで下げることができたのです。

これに気を良くしたので、早速６BQ５の特性も測ってみました。結果はほぼ同一の条件で、最適負荷を実用範囲の１００ｋΩまで下げるることができました。

ただし最大出力電圧はバイアス電圧が−１Vの時で２００V止まりです。また縦軸が１ｍA/divと変更されているのでご注意下さい。


　　　　　　　　　


このドライバーの活用例として、RCAの規格表から８４５による３０Wフルスペック出力時の設計がマッチすると分かります。またその時の最大出力は入力電圧0,7Vｒｍｓで出せます。

　　　　　　


ただし８４５のグリッド抵抗は、ドライバー側からすれば５００ｋΩ以上が好ましいので、８４５の仕様制約からカソードバイアスのみによる設計、もしくはグリッド・カソードバイアス併用となります。

こうしておなじみの６BQ5と８４５という２本だけのコラボにより、あっさりパワーアンプ構想ができてしまいました。このようなラインナップもまた面白いのではないでしょうか。


　　　　　


ちなみにG2電圧はヒーター巻き線などで簡単に作り出せることでしょうし、G2電流も0,5ｍA程度しか流れないので、１０ｋΩ程度の小型ボリュームで簡単に調整できます。

こうなると人間欲が出てきてG2バイアスを１９Vくらいに上げたらどうなるのか知りたくなりました。その測定結果が下の図です。


　　　　　　　　　


ｇｍが上昇し内部抵抗は下がりますがμの低下が大きく直線性もあまり良くありません。特にG1がー１Vとなる点を境にバイアスが深い部分でμが低下しているのが分かります。

下のグラフがEg2を変化させた時の様子です。


　　　　　　　　　　


しかしこのままでは机上の空論ですので、実際のアンプで実験してみます。


つづく





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