最終的に、回路図は下のように決まりました。６ＡＵ６のプレート抵抗と直列につながっている２００ｍＨはまさに邪道で、高域のカットオフ周波数を上げるためのピーキングコイルです。

つまりカソードはシングルでも、入力キャパシタンスは２ユニット分あるわけで、これが効いてきたためか、裸特性で３５ＫＨｚ以上あった６ＡＵ６の高域カットオフ周波数が、動作状態では１５ＫＨｚまで低下してしまいました。

こうした場合、通常はカソードフォロワーなど、バッファにより低出力インピーダンスで対処します。しかし今回は６AU６単段ドライブで完全無帰還アンプを成立させるため、ピーキングコイルという手段を用い２５ＫＨｚまで帯域を拡張しました。

使った部品は、いわゆるマイクロインダクターと呼ばれるもので、１個１５０円程度で購入できます。実際は１００ｍHを２個直列にしました。

というのも、少ないインダクタンスを多数直列にすると、巻線間容量をも直列になり、トータルの静電容量が低減できるからです。

またプレート抵抗は、ゲインとリニアリティーを検討した結果、５０ＫΩ（交流的には４３ＫΩ）となりました。





６Ｃ３３のカソード抵抗は、当初２００Ω２０Ｗを２個直列にして、６０Ｖの自己バイアスを予定していましたが発熱がひどく、急遽並列の４０Ｗ１００Ωとし、１３Ｖ程度の自己バイアスにしました。そのかわり５０Ｖタップから３倍電圧して、必要な固定バイアス電圧を作っています。

毎度のことですが、真空管主体にアンプを設計してしまうため、メイントランス、サブトランス、ヒータートランス、さらにはメインチョーク、ヒーターチョークや多数のケミコンが必要となり、シャーシ内外は大混雑です。

しかしパワー段と、たった１段のドライブ回路を個別のパワートランスでまかなうのは、貧者の贅沢と言えましょう。








またシャーシ上は、サーマルシールド板を取り付けました。真空管側を黒く塗装しただけの簡単なアルミ板ですが、静電シールドの効果はもちろん、ケミコンやトランスの温度上昇をおさえ、躯体の剛性を高めるほか、放熱板として対流を起こしてくれる優れものです。








結局ＧＴ管のソケットは、まわりに部品があふれて使えなくなり、さらにヒーター回路の余裕も無いので、はずして通気孔にします。

それでは計測の結果に行きましょう。